买卖IC网 >> 产品目录43530 >> STI11NM80 MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK-3 datasheet 分离式半导体产品
型号:

STI11NM80

库存数量:1,000
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK-3
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STI11NM80 PDF下载
标准包装 50
系列 MDmesh™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 43.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1630pF @ 25V
功率 - 最大 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装 I2PAK(TO-262)
包装 管件
其它名称 497-13106-5
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-83225692 唐先生
深圳市众芯微电子有限公司 0755-83208010 陈小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129491934(手机优先微信同号) 何芝
深圳市荣泽信电子科技有限公司 18028731859 荣泽信-晏S
深圳市毅创辉电子科技有限公司 077-8326952815602945519 王金英
深圳市时兴宇电子有限公司 0755-83041559 彭先生
集好芯城 0755-83286799 黄小姐 18188616605
深圳市德江源电子有限公司 82966416 张先生
  • STI11NM80 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 8.58 8.58
    10 7.722 77.22
    25 7.03584 175.896
    100 6.3492 634.92
    250 5.8344 1458.6
    500 5.3196 2659.8
    1,000 4.6332 4633.2
    2,500 4.4616 11154
    5,000 4.29 21450