STI11NM80 datasheet
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STI11NM80
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK-3 datasheet 分离式半导体产品
型号:
STI11NM80
库存数量:
1,000
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK-3
RoHS:
无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STI11NM80 PDF下载
标准包装
50
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫欧 @ 5.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1630pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK(TO-262)
包装
管件
其它名称
497-13106-5
相关资料
属性
链接
代理商
STI11NM80
STI120NH03L
STI12N65M5
STI12NM50N
STI13005-1
STI13400DCV
供应商
公司名
电话
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-83225692
唐先生
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491934(手机优先微信同号)
何芝
深圳市荣泽信电子科技有限公司
18028731859
荣泽信-晏S
深圳市毅创辉电子科技有限公司
077-8326952815602945519
王金英
深圳市时兴宇电子有限公司
0755-83041559
彭先生
集好芯城
0755-83286799
黄小姐 18188616605
深圳市德江源电子有限公司
82966416
张先生
STI11NM80 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
8.58
8.58
10
7.722
77.22
25
7.03584
175.896
100
6.3492
634.92
250
5.8344
1458.6
500
5.3196
2659.8
1,000
4.6332
4633.2
2,500
4.4616
11154
5,000
4.29
21450
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